加钉扎势阱深度。

    具体的实现路径需要再行商榷。

    第二种，参考薛定谔方程和波动力学模型，在NbSn薄膜表面外延生长拓扑绝缘体，比如BiSe，利用其受拓扑保护的表面态抑制磁通线运动。

    然后是最后一个办法。

    许青舟曾经参与过探月工程，觉得能参考极端环境稳定性设计理念，在电子设备预植入He离子辐照诱导纳米空腔，通过空腔捕获辐照缺陷并动态修复晶格，也就是采用离子注入技术生成可控空腔阵列，利用分子动力学模拟验证空腔对缺陷的捕获效率。

    “得，现在该选一个了。”

    三个实验其实都有技术难度，时间有限，只能先进行其中一个，突破现在瓶颈，再考虑接踵而来的小问题。

    许青舟轻轻转着手中的签字笔，脑子在飞速运转，对比三种方案的优劣，可行性。

    半晌过去。

    许青舟的目光落到第二种方案上。

    【拓扑超导界面工程。】

    难度相对较低，只需要在现有设备上添加角分辨光电子能谱（ARPES），以此来验证拓扑态和超导态耦合，再结合蒙特卡洛模拟优化界面电子传输路径。

    他先前进行相应的计算，发现在做拓扑设计时，BiSe会和NbSn的晶格产生失配现象，从而导致界面缺陷，而这恰恰能和卡森他们研究的过渡层相结合，通过过渡层，将失配度降低2%。

    一旦搞定，至少能把目前的性能提高50%以上，能达到商业级水平。

    假如把三个方案都搞定

    一骑绝尘，遥遥领先。

    这就是挂逼的强大之处，同行都还在第40层，他已经到99层去了。

    可惜，这将是个浩大工程，除非他再在这边多待几年，组建一个更加完整的团队，否则难度太大。

    “呼~”

    许青舟长吐了口气，把二喵rua醒放到地板上，提笔开始计算。

    YO纳米掺杂的模型和计算早就做完，现在需要解决拓扑超导界面工程和YO纳米掺杂协同优化NbSn薄膜的问题。

    添加BdG方程建模和耦合强度量化，独立建模拓扑态与超导的耦合，量化界面参数，最后再修正他曾经做的钉扎力模型。将拓扑界面贡献和YO贡献( F_{ext{YO}})叠加。

    资金有限，必须要大幅降低试错成本，而最好的办法，当然是先通过数学进行模拟，确保拓扑超导界面与YO纳米掺杂技术的协同效应最大化。

    和先前一样，通过实验-迭代，最后确保预测精度，锁定最佳工艺参数。

    写了半小时，许青舟又掏出手机，给卡森发去需要添加的设备，让他早些去申请，找人安装。

    在人工这一块，国外的效率一向都很感人。

    得提前把设备搞定，这样才能保证方案出来，能够立刻动手实验。

    暂时需要一台配备Bi、Se、Nb源的分子束外延，Riber 32P。再来一台FEI Helios

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